报告题目：VASPKIT软件在二维新型半导体材料高通量计算筛选方面的应用
报 告 人：王伟 副教授
报告时间：2019年11月1日（周五） 下午3：00
报告地点：曲江校区教九楼6层理学院学术报告厅（教9-617）
报告人简介：
王伟，日本东北大学和大阪大学博士后，理学院应用物理系副教授，近年来以第一作者和通讯作者在Journal of Physical Chemistry Letters, Physical Review B, Journal of Physical Chemistry C等期刊发表论文10余篇，其中ESI高被引论文1篇，单篇引用超过20次5篇。 另外与国内外实验研究组在Nature Communications，Scripta Materialia发表合作论文。所发表文章被Nature Communications, Physical Review X, JACS, Nano Letter, ACS Nano, Journal of Physical Chemistry Letters, Physical Review B等最有影响力期刊正面引用。当前H因子: 11 (谷歌学术: 12)。担任Acta Materialia, 2D Materials, Scientific Reports, Journal of Physical Chemistry C, Computational Materials Science, Surface Science, Solid State Communications, Chemical Physics Letters和Chinese Physics B等学术期刊审稿人。所开发第一原理计算软件VASP预-后期处理及高通量计算接口程序VASPKIT，目前已被美国、中国、德国和日本等80多个国家的几千余名研究者使用，每周下载近200次，其功能介绍文章预印本见arXiv:1908.08269 。
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