应用物理系

西安理工大学

By

【最新成果】我系又一成果发表在Journal of Physical Chemistry Letters刊物上

我系王伟副教授,刘雅超老师,日本东北大学的川添良幸教授和北京科技大学的耿文通教授共同合作,采用基于密度泛函理论的第一性原理计算结合半经验休克尔分子轨道法理论解释了“二维黑磷材料中层间耦合对能带带边演化的影响机制”,该成果已发表在国际物理化学类旗舰刊物Journal of Physical Chemistry Letters的第6巻23期上(DOI: 10.1021/acs.jpclett.5b02047),王伟副教授为该论文的第一作者和共同通讯作者。美国化学学会旗下的The Journal of Physical Chemistry Letters,其最新影响因子为8.53,年收录文章不到700篇。

另外,近期王伟副教授关于揭示本征二维黑磷材料的p型导电起源机制的又一工作,以第一作者和共同通讯作者身份发表在凝聚态类旗舰刊物Physical Review B的91巻第4期上(DOI: 10.1103/PhysRevB.91.045433)。该工作很快引起国际同行的注意,被ACS Nano, Journal of Physical Chemistry Letters, Physical Review B, Nanoscale等最有影响力期刊引用,并与当年入选物理类ESI高被引论文(ESI 高被引论文指同期同学科领域中被引频次排名位于全球 TOP 1%的论文)。美国物理学会旗下的Physical Review B在凝聚态和材料科学研究领域具有十分广泛的影响力,其最新影响因子3.72。这些研究成果标志着我校在国际纳米材料学研究领域里的影响力进一步提升。

二维黑磷材料是一种新型的具有直接带隙的半导体材料,具有很高的电子迁移率(~1000 cm2 /V·s) 和非常高的漏电流调制率(是石墨烯的10000倍),且其力学、电学和光学性质呈非常显著的各向异性特性。除此之外,二维黑磷具有一个奇特的性质,即其带隙值与黑磷层数有关。块状黑磷材料的带隙值约为 0.3 eV 且为间接带隙,而在二维黑磷材料中,当层数从五层减小到单层,其带隙值从约 0.6 eV增加到1.5—2.0 eV左右。由于诸上所述的优越特性,二维黑磷成为当前的热点研究材料。

 

By

【国际会议】我系王伟、贾婉丽副教授参加在日本冲绳举办的第九届ACCMS-VO国际会议

我系王伟副教授,贾婉丽副教授参加12月20到22期间在日本冲绳举办第九届ACCMS-VO(Asian Consortium on Computational Materials Science – Virtual Organization)国际会议。王伟副教授并做口头报告 “Native defect properties in few-layer phosphorene”

IMG_20141221_151011

王伟副教授做口头报告


accmsvo9group1s

9th ACCMS-VO合影纪念

psb

9th ACCMS-VO合影留念(左起),中科院物理所王建涛 博导,南京大学董锦明 博导,北京大学王前 博导 日本東北大学梁云烨博士后研究员,日本東北大学川添良幸先生,北京大学孙强 博导,重庆大学 曾忠 博导,王伟 副教授